Справочник MOSFET. 12N30

 

12N30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 12N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для 12N30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

12N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  utc
12n30.pdfpdf_icon

12N30

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12N30 Preliminary Power MOSFET 12A, 300V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 12N30 is an N-channel mode power MOSFET usingUTC s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology specializes in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. Italso can withstand

 0.1. Size:176K  ixys
ixbt12n300.pdfpdf_icon

12N30

High Voltage, High GainVCES = 3000VIXBT12N300BIMOSFETTM MonolithicIXBH12N300IC110 = 12ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.2VTO-268 (IXBT)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TC = 25C to 150C 3000 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 VTO-247 (IXBH)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 30 A

 0.2. Size:176K  ixys
ixbh12n300.pdfpdf_icon

12N30

High Voltage, High GainVCES = 3000VIXBT12N300BIMOSFETTM MonolithicIXBH12N300IC110 = 12ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.2VTO-268 (IXBT)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TC = 25C to 150C 3000 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 VTO-247 (IXBH)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 30 A

 0.3. Size:246K  ixys
ixbt12n300hv.pdfpdf_icon

12N30

Advance Technical InformationHigh Voltage, High GainVCES = 3000VIXBA12N300HVBIMOSFETTM MonolithicIXBT12N300HVIC110 = 12ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.2VTO-263 (IXBA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 VTO-268 (IXBT)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 VVGEM Trans

Другие MOSFET... UF740 , UF3N25 , UF634 , 12N25 , 15N25 , 18N25 , UF2N30 , 10N30 , CS150N03A8 , UF3205 , 2N7000Z , 2N7002LL , 2N7002Z , 2N7002ZT , UF3055 , UTD3055 , 12N06 .

History: JCS15N65BEI | 2SK117

 

 
Back to Top

 


 
.