2N7002LL - описание и поиск аналогов

 

2N7002LL - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N7002LL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-3 TO-236
 

 Аналог (замена) для 2N7002LL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7002LL технические параметры

 ..1. Size:160K  utc
2n7002ll.pdfpdf_icon

2N7002LL

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N7002LL Preliminary Power MOSFET 60V, 115mA N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 3 The UTC 2N7002LL uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate 1 voltages. This device is suitable for use as a load switch or in 2 PWM applications. FEATURES SOT-23-3 (JEDEC TO-236) * RDS(ON) = 7.5

 7.1. Size:98K  motorola
2n7002lt1.pdfpdf_icon

2N7002LL

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N7002LT1/D TMOS FET Transistor 2N7002LT1 3 DRAIN N Channel Enhancement Motorola Preferred Device 1 GATE 3 2 SOURCE 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Drain Source Voltage VDSS 60 Vdc CASE 318 08, STYLE 21 SOT 23 (TO 236AB) Drain Gate Voltage (RGS = 1.0 M ) VDGR 60 Vdc Drain Current Con

 7.2. Size:94K  motorola
2n7002lt1rev2.pdfpdf_icon

2N7002LL

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N7002LT1/D TMOS FET Transistor 2N7002LT1 3 DRAIN N Channel Enhancement Motorola Preferred Device 1 GATE 3 2 SOURCE 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Drain Source Voltage VDSS 60 Vdc CASE 318 08, STYLE 21 SOT 23 (TO 236AB) Drain Gate Voltage (RGS = 1.0 M ) VDGR 60 Vdc Drain Current Con

 7.3. Size:92K  onsemi
2n7002l.pdfpdf_icon

2N7002LL

2N7002L Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel SOT-23 Features AEC Qualified http //onsemi.com PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 7.5 W @ 10 V, 60 V 115 mA 500 mA MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit N-Channel Drain-Source Voltage VDSS 60 Vdc 3 Drain-Gate Voltage (RGS = 1.0 MW) V

Другие MOSFET... 12N25 , 15N25 , 18N25 , UF2N30 , 10N30 , 12N30 , UF3205 , 2N7000Z , IRFZ24N , 2N7002Z , 2N7002ZT , UF3055 , UTD3055 , 12N06 , 12N06Z , 15N06 , 12N10 .

 

 
Back to Top

 


 
.