Справочник MOSFET. 2N7002LL

 

2N7002LL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N7002LL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-3 TO-236
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7002LL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  utc
2n7002ll.pdfpdf_icon

2N7002LL

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N7002LL Preliminary Power MOSFET 60V, 115mA N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 3The UTC 2N7002LL uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate 1voltages. This device is suitable for use as a load switch or in 2PWM applications. FEATURES SOT-23-3(JEDEC TO-236)* RDS(ON) = 7.5

 7.1. Size:98K  motorola
2n7002lt1.pdfpdf_icon

2N7002LL

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N7002LT1/DTMOS FET Transistor2N7002LT13 DRAINNChannel EnhancementMotorola Preferred Device1GATE32 SOURCE1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDSS 60 VdcCASE 31808, STYLE 21SOT23 (TO236AB)DrainGate Voltage (RGS = 1.0 M) VDGR 60 VdcDrain Current Con

 7.2. Size:94K  motorola
2n7002lt1rev2.pdfpdf_icon

2N7002LL

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N7002LT1/DTMOS FET Transistor2N7002LT13 DRAINNChannel EnhancementMotorola Preferred Device1GATE32 SOURCE1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDSS 60 VdcCASE 31808, STYLE 21SOT23 (TO236AB)DrainGate Voltage (RGS = 1.0 M) VDGR 60 VdcDrain Current Con

 7.3. Size:92K  onsemi
2n7002l.pdfpdf_icon

2N7002LL

2N7002LSmall Signal MOSFET60 V, 115 mA, N-Channel SOT-23Features AEC Qualifiedhttp://onsemi.com PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXCompliant7.5 W @ 10 V,60 V 115 mA500 mAMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitN-ChannelDrain-Source Voltage VDSS 60 Vdc3Drain-Gate Voltage (RGS = 1.0 MW) V

Другие MOSFET... 12N25 , 15N25 , 18N25 , UF2N30 , 10N30 , 12N30 , UF3205 , 2N7000Z , MMIS60R580P , 2N7002Z , 2N7002ZT , UF3055 , UTD3055 , 12N06 , 12N06Z , 15N06 , 12N10 .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.