UTT6N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UTT6N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для UTT6N10
UTT6N10 Datasheet (PDF)
utt6n10.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT6N10 Power MOSFET 100V, 6A N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT6N10 is an N-channel enhancement mode Power FET, it uses UTCs advanced technology to provide customers a 1minimum on-state resistance, high switching speed and ultra low SOT-223gate charge. The UTC UTT6N10 is usually used in DC-DC Conversion. FEATURES
utt6n10z.pdf

SMD Type MOSFETTransistorsN-Channel Power MOSFETUTT6N10Z Features Unit:mmSOT-2236.500.2 RDS(on) = 80m @VGS = 10V,ID=6A3.000.1 High Switching Speed Low Crss (Typically 3.1pF)4 Low Gate Charge (Typically 4.3nC) 1 2 32.Drain0.2502.30 (typ)0.84 (max)Gauge Plane0.66 (min)1.Gate1.Gate 2.Drain3.Source4.60 (typ) 4.Drain3.Sou
utt6np10l-tn4-r utt6np10g-tn4-r utt6np10l-s08-r utt6np10g-s08-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT6NP10 Power MOSFET DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL) DESCRIPTION 1SOP-8The UTC UTT6NP10 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFETit uses UTCs advanced technology to provide customers a minimum on-state resistance and high-speed switching, thereby enabling high-density mounting. The UTC UTT6NP10 is univers
Другие MOSFET... UTT20N10 , UTT25N08 , UTT30N08 , UTT30N10 , UTT36N10 , UTT50N06 , UTT60N06 , UTT60N10 , SPP20N60C3 , UTT75N08 , UTT75N75 , UTT80N06 , UTT80N08 , UTT80N75 , UDN302 , UT2301 , UT2301Z .
History: IRLB8314PBF | IPN60R2K0PFD7S | KIA75NF75
History: IRLB8314PBF | IPN60R2K0PFD7S | KIA75NF75



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818