UTT6N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: UTT6N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.3 nC
Время нарастания (tr): 1.3 ns
Выходная емкость (Cd): 46 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
UTT6N10 Datasheet (PDF)
utt6n10.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT6N10 Power MOSFET 100V, 6A N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT6N10 is an N-channel enhancement mode Power FET, it uses UTCs advanced technology to provide customers a 1minimum on-state resistance, high switching speed and ultra low SOT-223gate charge. The UTC UTT6N10 is usually used in DC-DC Conversion. FEATURES
utt6n10z.pdf
SMD Type MOSFETTransistorsN-Channel Power MOSFETUTT6N10Z Features Unit:mmSOT-2236.500.2 RDS(on) = 80m @VGS = 10V,ID=6A3.000.1 High Switching Speed Low Crss (Typically 3.1pF)4 Low Gate Charge (Typically 4.3nC) 1 2 32.Drain0.2502.30 (typ)0.84 (max)Gauge Plane0.66 (min)1.Gate1.Gate 2.Drain3.Source4.60 (typ) 4.Drain3.Sou
utt6np10l-tn4-r utt6np10g-tn4-r utt6np10l-s08-r utt6np10g-s08-r.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT6NP10 Power MOSFET DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL) DESCRIPTION 1SOP-8The UTC UTT6NP10 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFETit uses UTCs advanced technology to provide customers a minimum on-state resistance and high-speed switching, thereby enabling high-density mounting. The UTC UTT6NP10 is univers
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: AOH3106
