MTB030N04N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB030N04N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0253 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MTB030N04N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB030N04N3 даташит

 ..1. Size:625K  cystek
 mtb030n04n3.pdf pdf_icon

MTB030N04N3

Spec. No. C884N3 Issued Date 2014.08.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 9 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 40V MTB030N04N3 ID @VGS=10V 8A VGS=10V, ID=7.9A 25.3m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=7.3A 34.2m Features Low on-resistance Low voltage gate drive Excellent thermal and electrical capabilities Pb-free l

 7.1. Size:477K  cystek
 mtb030n10rq8.pdf pdf_icon

MTB030N04N3

Spec. No. C053Q8 Issued Date 2016.11.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTB030N10RQ8 BVDSS 100V ID @ TA=25 C, VGS=10V 6.2A RDS(ON)@VGS=10V, ID=10A 22.7 m (typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=8A 27.5 m (typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Rep

 9.1. Size:221K  cystek
 mtb03n03h8.pdf pdf_icon

MTB030N04N3

Spec. No. C788H8 Issued Date 2010.09.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.10.06 Page No. 1/7 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V MTB03N03H8 ID 75A RDSON(max) 3m Description The MTB03N03H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

 9.2. Size:655K  cystek
 mtb032p06v8.pdf pdf_icon

MTB030N04N3

Spec. No. C924V8 Issued Date 2013.06.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.08.11 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTB032P06V8 ID -25A RDSON@VGS=10V, ID=-6A 29m (typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4A 33m (typ) Description The MTB032P06V8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTA340N02N3, MTA55N02N3, MTA65N15H8, MTA65N20H8, MTA90N03ZN3, MTB02N03H8, MTB02N03J3, MTB02N03Q8, 60N06, MTB032P06V8, MTB03N03H8, MTB04N03AQ8, MTB04N03E3, MTB04N03H8, MTB04N03J3, MTB04N03Q8, MTB050N15J3