Справочник MOSFET. MTB030N04N3

 

MTB030N04N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB030N04N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0253 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для MTB030N04N3

 

 

MTB030N04N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  cystek
 mtb030n04n3.pdf

MTB030N04N3 MTB030N04N3

Spec. No. : C884N3 Issued Date : 2014.08.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/ 9 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 40V MTB030N04N3 ID @VGS=10V 8A VGS=10V, ID=7.9A 25.3m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=7.3A 34.2m Features Low on-resistance Low voltage gate drive Excellent thermal and electrical capabilities Pb-free l

 7.1. Size:477K  cystek
 mtb030n10rq8.pdf

MTB030N04N3 MTB030N04N3

Spec. No. : C053Q8 Issued Date : 2016.11.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTB030N10RQ8 BVDSS 100VID @ TA=25C, VGS=10V 6.2A RDS(ON)@VGS=10V, ID=10A 22.7 m(typ)Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=8A 27.5 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Rep

 9.1. Size:221K  cystek
 mtb03n03h8.pdf

MTB030N04N3 MTB030N04N3

Spec. No. : C788H8 Issued Date : 2010.09.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.10.06 Page No. : 1/7 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB03N03H8ID 75ARDSON(max) 3m Description The MTB03N03H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

 9.2. Size:655K  cystek
 mtb032p06v8.pdf

MTB030N04N3 MTB030N04N3

Spec. No. : C924V8 Issued Date : 2013.06.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2014.08.11 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTB032P06V8 ID -25A RDSON@VGS=10V, ID=-6A 29m(typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4A 33m(typ) Description The MTB032P06V8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top