Справочник MOSFET. MTB110P10F3

 

MTB110P10F3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB110P10F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB110P10F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:525K  cystek
mtb110p10f3.pdfpdf_icon

MTB110P10F3

Spec. No. : C968F3 Issued Date : 2014.08.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10F3 ID @ VGS=-10V -23A RDSON(TYP) @ VGS=-10V, ID=-11A 80m RDSON(TYP) @ VGS=-4.5V, ID=-8A 93m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching

 5.1. Size:595K  cystek
mtb110p10j3.pdfpdf_icon

MTB110P10F3

Spec. No. : C968J3 Issued Date : 2014.08.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10J3 ID -14A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-4.5A 79m(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-4A 90m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package

 5.2. Size:345K  cystek
mtb110p10l3.pdfpdf_icon

MTB110P10F3

Spec. No. : C968L3 Issued Date : 2014.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTB110P10L3 ID@VGS=-10V, TA=25C -3.8A ID@VGS=-10V, TC=25C -10.8A 85m (typ.)RDSON@VGS=-10V, ID=-4.5A Features 96m (typ.)RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4A Simple Drive Requirement Low On-resistance F

 5.3. Size:518K  cystek
mtb110p10e3.pdfpdf_icon

MTB110P10F3

Spec. No. : C968E3 Issued Date : 2014.08.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10E3 ID @ VGS=-10V -23A RDSON(TYP) @ VGS=-10V, ID=-11A 80m RDSON(TYP) @ VGS=-4.5V, ID=-8A 93m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SWJ5N70K | G68 | IPD50R280CE | IPD90N04S4-04 | HAT2040R | NDT6N70 | IXTQ230N085T

 

 
Back to Top

 


 
.