MTB15P04J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTB15P04J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 69 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 40 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 325 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0097 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTB15P04J3
MTB15P04J3 Datasheet (PDF)
mtb15p04j3.pdf
Spec. No. : C877J3 Issued Date : 2012.09.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -40VMTB15P04J3 ID -50ARDS(ON)@VGS=-10V, ID=-25A 9.7m(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-15A 12.7m(typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead
mtb15n06e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB15N06E/DDesigner's Data SheetMTB15N06ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 15 AMPERESRDS(on) = 0.12 OHMThe D2PAK package has the capability of housing a larger die60 VOLTSthan any existing surface mo
mtb15n06erev1.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB15N06E/DDesigner's Data SheetMTB15N06ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 15 AMPERESRDS(on) = 0.12 OHMThe D2PAK package has the capability of housing a larger die60 VOLTSthan any existing surface mo
mtb15n06v.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB15N06V/DDesigner's Data SheetMTB15N06VTMOS VPower Field Effect TransistorD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 15 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresistanceRDS(on) = 0.12 OHMarea product about onehalf that of standard
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
