Справочник MOSFET. MTB15P04J3

 

MTB15P04J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB15P04J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTB15P04J3

 

 

MTB15P04J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  cystek
 mtb15p04j3.pdf

MTB15P04J3 MTB15P04J3

Spec. No. : C877J3 Issued Date : 2012.09.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -40VMTB15P04J3 ID -50ARDS(ON)@VGS=-10V, ID=-25A 9.7m(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-15A 12.7m(typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead

 9.1. Size:202K  motorola
 mtb15n06e.pdf

MTB15P04J3 MTB15P04J3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB15N06E/DDesigner's Data SheetMTB15N06ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 15 AMPERESRDS(on) = 0.12 OHMThe D2PAK package has the capability of housing a larger die60 VOLTSthan any existing surface mo

 9.2. Size:231K  motorola
 mtb15n06erev1.pdf

MTB15P04J3 MTB15P04J3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB15N06E/DDesigner's Data SheetMTB15N06ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 15 AMPERESRDS(on) = 0.12 OHMThe D2PAK package has the capability of housing a larger die60 VOLTSthan any existing surface mo

 9.3. Size:274K  motorola
 mtb15n06v.pdf

MTB15P04J3 MTB15P04J3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB15N06V/DDesigner's Data SheetMTB15N06VTMOS VPower Field Effect TransistorD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 15 AMPERES60 VOLTSTMOS V is a new technology designed to achieve an onresistanceRDS(on) = 0.12 OHMarea product about onehalf that of standard

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top