MTB16P04J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTB16P04J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 32 nC
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 1642 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTB16P04J3
MTB16P04J3 Datasheet (PDF)
mtb16p04j3.pdf
Spec. No. : C706J3 Issued Date : 2009.04.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.05.17 Page No. : 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -40VMTB16P04J3 ID -25A16m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB16P04J3 TO-252 GGate DDrain
mtb16n25e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB16N25E/DDesigner's Data SheetMTB16N25ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 16 AMPERES250 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.25 OHMthan any existing surface m
mtb160n25j3.pdf
Spec. No. : C977J3 Issued Date : 2014.10.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTB160N25J3 ID@VGS=10V 18AVGS=10V, ID=9A 132m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=6A 138m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-252(DPAK
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
