MTB16P04J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTB16P04J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1642 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTB16P04J3
MTB16P04J3 Datasheet (PDF)
mtb16p04j3.pdf

Spec. No. : C706J3 Issued Date : 2009.04.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.05.17 Page No. : 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -40VMTB16P04J3 ID -25A16m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB16P04J3 TO-252 GGate DDrain
mtb16n25e.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB16N25E/DDesigner's Data SheetMTB16N25ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 16 AMPERES250 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.25 OHMthan any existing surface m
mtb160n25j3.pdf

Spec. No. : C977J3 Issued Date : 2014.10.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTB160N25J3 ID@VGS=10V 18AVGS=10V, ID=9A 132m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=6A 138m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-252(DPAK
Другие MOSFET... MTB12N03Q8 , MTB12N04J3 , MTB12P04J3 , MTB12P06J3 , MTB13N03Q8 , MTB14A03V8 , MTB14P03Q8 , MTB15P04J3 , 2SK3568 , MTB17A03Q8 , MTB17A03V8 , MTB17N03Q8 , MTB1D7N03ATH8 , MTB1D7N03E3 , MTB1K6N06KS6R , MTB20A03Q8 , MTB20C03J4 .
History: MTB55N06Q8 | IRFB17N60K | SSD15N10 | IRF720PBF | IRFH8311TRPBF | IRFR9120 | WSF30100
History: MTB55N06Q8 | IRFB17N60K | SSD15N10 | IRF720PBF | IRFH8311TRPBF | IRFR9120 | WSF30100



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527