Справочник MOSFET. MTB17A03V8

 

MTB17A03V8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB17A03V8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: EDFN3X3

 Аналог (замена) для MTB17A03V8

 

 

MTB17A03V8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  cystek
 mtb17a03v8.pdf

MTB17A03V8 MTB17A03V8

Spec. No. : C396V8 Issued Date : 2013.08.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.14 Page No. : 1/9 Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTB17A03V8ID 7A16m VGS=10V, ID=6A RDSON(TYP) 25m VGS=4.5V, ID=4A Description The MTB17A03V8 consists of two N-channel enhancement-mode MOSFETs in a DFN3 3 package, providing the designer

 6.1. Size:313K  cystek
 mtb17a03q8.pdf

MTB17A03V8 MTB17A03V8

Spec. No. : C729Q8 Issued Date : 2009.07.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.01.20 Page No. : 1/ 9 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB17A03Q8 ID 10A8.6m VGS=10V, ID=10A RDSON(TYP) 12.6mVGS=4.5V, ID=6A Description The MTB17A03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra l

 9.1. Size:320K  cystek
 mtb17n03q8.pdf

MTB17A03V8 MTB17A03V8

Spec. No. : C729Q8 Issued Date : 2009.09.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTB17N03Q8 RDSON(MAX) 15mID 10ADescription The MTB17N03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost effectiveness. The

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top