MTB23C04J4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB23C04J4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22(26) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16(20) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57(243) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02(0.0133) Ohm

Тип корпуса: TO-252-4L

Аналог (замена) для MTB23C04J4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB23C04J4 даташит

 ..1. Size:355K  cystek
 mtb23c04j4.pdf pdf_icon

MTB23C04J4

Spec. No. C947J4 Issued Date 2014.01.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CH MTB23C04J4 BVDSS 40V -40V ID 5.2A -6.2A RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 20 m 13.3 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 28 m 17.8 m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free pa

 9.1. Size:249K  motorola
 mtb23p06vrev1x.pdf pdf_icon

MTB23C04J4

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB23P06V/D Designer's Data Sheet MTB23P06V TMOS V Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET P Channel Enhancement Mode Silicon Gate 23 AMPERES 60 VOLTS TMOS V is a new technology designed to achieve an on resis- RDS(on) = 0.120 OHM tance area product abou

 9.2. Size:242K  motorola
 mtb23p06e.pdf pdf_icon

MTB23C04J4

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB23P06E/D Designer's Data Sheet MTB23P06E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET P Channel Enhancement Mode Silicon Gate 23 AMPERES 60 VOLTS The D2PAK package has the capability of housing a larger die RDS(on) = 0.12 OHM than any existing surface mo

 9.3. Size:217K  motorola
 mtb23p06v.pdf pdf_icon

MTB23C04J4

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB23P06V/D Designer's Data Sheet MTB23P06V TMOS V Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET P Channel Enhancement Mode Silicon Gate 23 AMPERES 60 VOLTS TMOS V is a new technology designed to achieve an on resis- RDS(on) = 0.120 OHM tance area product abou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTB1K6N06KS6R, MTB20A03Q8, MTB20C03J4, MTB20N03AQ8, MTB20N03Q8, MTB20N06J3, MTB20P03L3, MTB22N04J3, AON7506, MTB24B03Q8, MTB25A04Q8, MTB25N04J3, MTB25P04V8, MTB25P06FP, MTB30N06J3, MTB30N06Q8, MTB30N06V8