Справочник MOSFET. MTB25N04J3

 

MTB25N04J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB25N04J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTB25N04J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB25N04J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  cystek
mtb25n04j3.pdfpdf_icon

MTB25N04J3

Spec. No. : C884J3 Issued Date : 2012.12.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.14 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB25N04J3 ID 29ARDS(ON)@VGS=10V, ID=12A 20m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 27m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalen

 9.1. Size:436K  cystek
mtb25c04q8.pdfpdf_icon

MTB25N04J3

Spec. No. : C955Q8 Issued Date : 2015.03.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTB25C04Q8 BVDSS 40V -40VID @ TA=25C, VGS=10V(-10V) 5.7A -4.9AID @ TA=70C, VGS=10V(-10V) 4.8A -4.1AID @ TC=25C, VGS=10V(-10V) 10A -8.6AID @ TC=100C, VGS=10V(-10V) 7.1A -6.1ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 21.

 9.2. Size:373K  cystek
mtb25p04v8.pdfpdf_icon

MTB25N04J3

Spec. No. : C878V8 Issued Date : 2014.03.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -40VMTB25P04V8 ID -27ARDSON@VGS=-10V, ID=-10A 13 m(typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-6A 19 m(typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating and halogen-free packag

 9.3. Size:339K  cystek
mtb25p06fp.pdfpdf_icon

MTB25N04J3

Spec. No. : C584FP Issued Date : 2014.07.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VMTB25P06FP ID -52ARDS(ON)@VGS=-10V, ID=-20A 18.8m(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-20A 21.8m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circu

Другие MOSFET... MTB20N03AQ8 , MTB20N03Q8 , MTB20N06J3 , MTB20P03L3 , MTB22N04J3 , MTB23C04J4 , MTB24B03Q8 , MTB25A04Q8 , IRFZ24N , MTB25P04V8 , MTB25P06FP , MTB30N06J3 , MTB30N06Q8 , MTB30N06V8 , MTB30P06J3 , MTB35N04J3 , MTB3D0N03ATH8 .

History: AO4472 | IRFR120 | RK7002BMHZG | SSD02N65 | IRLZ44ZL | SMG2302 | IRFB812

 

 
Back to Top

 


 
.