2N6660 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N6660
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 6.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm
Тип корпуса: TO39
2N6660 Datasheet (PDF)
1.1. 2n6660.pdf 
Size:527K _supertex
Supertex inc. 2N6660 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description The Supertex 2N6660 is an enhancement-mode (normally- > Free from secondary breakdown off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and > Low power drive requirement Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. > Ease of paralleling This combination produces a devic
1.2. 2n6660 2n6661.pdf Size:21K _supertex
2N6660 2N6661 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Ordering Information Order Number / Package BVDSS /RDS(ON) ID(ON) BVDGS (max) (min) TO-39 60V 3.0? 1.5A 2N6660 90V 4.0? 1.5A 2N6661 High Reliability Devices Advanced DMOS Technology See pages 5-4 and 5-5 for MILITARY STANDARD Process These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a Flows and Ordering Information.
1.3. 2n6656-59 2n6660-61.pdf Size:42K _no
Другие MOSFET... 2N5485 , 2N5486 , 2N6656 , 2N6657 , 2N6658 , 2N6659 , 2N6659-LCC4 , 2N6659-SM , IRF520 , 2N6660JAN , 2N6660JANTX , 2N6660JANTXV , 2N6660-LCC4 , 2N6660-SM , 2N6661 , 2N6661-220M , 2N6661JAN .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: WFD5N65L | W15NK90Z | VN1206N5 | TK13A60W | SUP70060E | STP140N6F7 | STH140N6F7 | STD140N6F7 | SIHG47N60AEF | R6018JNX | PSMN3R7-100BSE | P75NF75 | NVD4C05NT4G | NTHL040N65S3F | MTD300N20J3 |