Справочник MOSFET. 2N6966JANTXV

 

2N6966JANTXV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N6966JANTXV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 1.8 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO213

Аналог (замена) для 2N6966JANTXV

 

 

2N6966JANTXV Datasheet (PDF)

9.1. 2n583 2n584 2n640 2n641 2n642 2n643 2n644 2n645 2n656 2n696.pdf Size:298K _rca

2N6966JANTXV

9.2. 2n6963 2n6965 2n7100 2n7101 2n7102 2n710.pdf Size:1095K _ixys

2N6966JANTXV 2N6966JANTXV

Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 20

 9.3. 2n696 2n697.pdf Size:61K _microsemi

2N6966JANTXV 2N6966JANTXV

TECHNICAL DATA NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/99 Devices Qualified Level 2N696 2N697 JAN 2N696S 2N697S MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Base Voltage 60 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO Total Power Dissipation @ T = 250C (1) 0.6 W APT @ T = 250C (2) 2.0 W C0Operating & Storage Juncti

9.4. 2n6962.pdf Size:270K _siliconix

2N6966JANTXV 2N6966JANTXV

Другие MOSFET... 2N6961 , 2N6961A , 2N6962 , 2N6963 , 2N6964 , 2N6965 , 2N6966 , 2N6966JANTX , IRF3205 , 2N6967 , 2N6967JANTX , 2N6967JANTXV , 2N6968 , 2N6968JANTX , 2N6968JANTXV , 2N6969 , 2N6969JANTX .

 

 
Back to Top