MTE05N08E3 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

MTE05N08E3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: MTE05N08E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 333 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 180 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 120 nC
   Время нарастания (tr): 41 ns
   Выходная емкость (Cd): 702 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0043 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTE05N08E3

MTE05N08E3 Datasheet (PDF)

..1. Size:277K cystek
mte05n08e3.pdf

Spec. No. : C918E3 Issued Date : 2013.06.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 80VMTE05N08E3 ID 180A4.3m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 4.5m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic

8.1. Size:277K cystek
mte05n10e3.pdf

Spec. No. : C928E3 Issued Date : 2013.11.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.12 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTE05N10E3 ID 140A5.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 6.2m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Charact

8.2. Size:349K cystek
mte05n10fp.pdf

Spec. No. : C928FP Issued Date : 2015.03.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE05N10FP ID @ VGS=10V, TC=25C 109A 5.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A 6.2m RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Ch

9.1. Size:468K 1
mte050n15brv8.pdf

Spec. No. : C033V8 Issued Date : 2017.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE050N15BRV8BVDSS 150VID @ TC=25C, VGS=10V 12.4A ID @ TA=25C, VGS=10V 4.3A 49.1m VGS=10V, ID=3.4A Features RDSON(TYP) 58.5m VGS=6V, ID=3.3A Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switchi

9.2. Size:858K 1
mte050n15brh8.pdf

Spec. No. : C033H8 Issued Date : 2017.11.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE050N15BRH8BVDSS 150VID@VGS=10V, TC=25C 16A ID@VGS=10V, TA=25C 4.3A RDS(ON)@VGS=10V, ID=3.4A 49.1m(typ) Features RDS(ON)@VGS=6V, ID=3.3A 58.5 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switchi

9.3. Size:468K cystek
mte050n15brv8.pdf