MTE65N15FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTE65N15FP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для MTE65N15FP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE65N15FP даташит

 ..1. Size:344K  cystek
 mte65n15fp.pdf pdf_icon

MTE65N15FP

Spec. No. C873FP Issued Date 2012.11.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.05.24 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTE65N15FP ID 15A RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 55 m (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 61m (typ) Description The MTE65N15FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fas

 6.1. Size:310K  cystek
 mte65n15j3.pdf pdf_icon

MTE65N15FP

Spec. No. C873J3 Issued Date 2012.12.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTE65N15J3 ID 20A RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 55 m (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 61m (typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

 8.1. Size:587K  1
 mte65n20h8.pdf pdf_icon

MTE65N15FP

Spec. No. C872H8 Issued Date 2016.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2016.07.12 Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE65N20H8 ID @VGS=10V, TC=25 C 24A RDSON(TYP) VGS=10V, ID=11A 61m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-fre

 8.2. Size:304K  cystek
 mte65n20j3.pdf pdf_icon

MTE65N15FP

Spec. No. C872J3 Issued Date 2012.10.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE65N20J3 ID 25A 61m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 66m VGS=6V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Ou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTE1K8N25J3, MTE1K8N25KJ3, MTE1K8N25KM3, MTE20N10FP, MTE50N10FP, MTE50N15FP, MTE50N15J3, MTE50N15Q8, IRFZ48N, MTE65N15J3, MTE65N20F3, MTE65N20J3, MTEA0N10J3, MTEA0N10Q8, MTEA2N15L3, MTEA2N15Q8, MTEA6C15J4