MTN1322S3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN1322S3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.3 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для MTN1322S3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN1322S3 даташит

 ..1. Size:309K  cystek
 mtn1322s3.pdf pdf_icon

MTN1322S3

Spec. No. C596S3 Issued Date 2009.11.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.09 Page No. 1/9 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 25V MTN1322S3 ID 850mA RDSON@VGS=4.5V, ID=600mA 300m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=400mA 450m (typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=350mA 870m (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free packag

 9.1. Size:274K  cystek
 mtn138ks3.pdf pdf_icon

MTN1322S3

Spec. No. C320S3 Issued Date 2007.11.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.03 Page No. 1/7 N-CHANNEL MOSFET MTN138KS3 Description The MTN138KS3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-

 9.2. Size:508K  cystek
 mtn13n50e3.pdf pdf_icon

MTN1322S3

Spec. No. C405E3 Issued Date 2008.12.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.08.13 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 500V RDS(ON) 0.48 MTN13N50E3 ID 13A Description The MTN13N50E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resis

 9.3. Size:203K  cystek
 mtn1308e3.pdf pdf_icon

MTN1322S3

Spec. No. C440E3 Issued Date 2009.02.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 75V RDSON 13 m MTN1308E3 ID 80A Description The MTN1308E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effective

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN10N65EA, MTN10N65FP, MTN10N65FPG, MTN10N70EA, MTN12N60E3, MTN12N60FP, MTN12N65FP, MTN1308E3, 7N65, MTN138KS3, MTN138ZN3, MTN13N50E3, MTN13N50FP, MTN14N60FP, MTN15N50E3, MTN15N50F3, MTN15N50FP