MTN2N60FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN2N60FP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для MTN2N60FP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN2N60FP даташит

 ..1. Size:284K  cystek
 mtn2n60fp.pdf pdf_icon

MTN2N60FP

Spec. No. C435FP Issued Date 2009.01.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.30 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V RDS(ON) 4.1 typ. MTN2N60FP ID 2A Description The MTN2N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

 7.1. Size:357K  cystek
 mtn2n60j3.pdf pdf_icon

MTN2N60FP

Spec. No. C435J3 Issued Date 2009.01.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V RDS(ON) 4.0 (typ.) MTN2N60J3 ID 2A Description The MTN2N60J3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-res

 7.2. Size:337K  cystek
 mtn2n60i3.pdf pdf_icon

MTN2N60FP

Spec. No. C435I3 Issued Date 2009.01.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.11.10 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V RDS(ON) 4.0 (typ.) MTN2N60I3 ID 2A Description The MTN2N60I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-res

 8.1. Size:333K  cystek
 mtn2n65j3.pdf pdf_icon

MTN2N60FP

Spec. No. C722J3 Issued Date 2010.08.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDSON(typ) 6.2 MTN2N65J3 ID 1.8A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and halogen-free package

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN2510J3, MTN2510LE3, MTN2510LJ3, MTN2572F3, MTN2572FP, MTN2572H8, MTN2572J3, MTN2604G6, 20N50, MTN2N60I3, MTN2N60J3, MTN2N65AI3, MTN2N65FP, MTN2N65I3, MTN2N65J3, MTN2N70FP, MTN2N70I3