MTN4N60I3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTN4N60I3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для MTN4N60I3
MTN4N60I3 Datasheet (PDF)
mtn4n60i3.pdf

Spec. No. : C408I3 Issued Date : 2010.01.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.18 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.8(typ.) MTN4N60I3 ID : 4A Description The MTN4N60I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re
mtn4n60fp.pdf

Spec. No. : C408FP Issued Date : 2008.09.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.11.20 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN4N60FP ID : 4A Description The MTN4N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re
mtn4n60e3.pdf

Spec. No. : C408E3 Issued Date : 2010.12.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN4N60E3 ID : 4A Description The MTN4N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and
mtn4n60j3.pdf

Spec. No. : C408I3 Issued Date : 2010.01.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.8(typ.) MTN4N60J3 ID : 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating package Applications
Другие MOSFET... MTN4410V8 , MTN4424Q8 , MTN4800V8 , MTN4N01Q8 , MTN4N60AE3 , MTN4N60AFP , MTN4N60E3 , MTN4N60FP , IRFP250N , MTN4N60J3 , MTN4N65FP , MTN4N65I3 , MTN4N65J3 , MTN4N70I3 , MTN50N06E3 , MTN540J3 , MTN5N50E3 .
History: AM7468N | RSR010N10FHA
History: AM7468N | RSR010N10FHA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50
Popular searches
mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250