MTN5N60E3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN5N60E3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
trⓘ - Время нарастания: 12.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
MTN5N60E3 Datasheet (PDF)
mtn5n60e3.pdf
Spec. No. : C408E3-A Issued Date : 2010.09.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN5N60E3 ID : 4.5A Description The MTN5N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance
mtn5n60fp.pdf
Spec. No. : C408FP-A Issued Date : 2009.04.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.12 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN5N60FP ID : 4.5A Description The MTN5N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low
mtn5n60i3.pdf
Spec. No. : C408I3-A Issued Date : 2010.03.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.11.20 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1 (typ.) MTN5N60I3 ID : 5A Description The MTN5N60I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on
mtn5n60j3.pdf
Spec. No. : C408J3 Issued Date : 2010.03.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN5N60J3 ID : 5A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating package Applications
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD