MTP2611V8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTP2611V8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
trⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
MTP2611V8 Datasheet (PDF)
mtp2611v8.pdf
Spec. No. : C913V8 Issued Date : 2013.07.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.30 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VMTP2611V8 ID -45ARDSON@VGS=-4.5V, ID=-15.3A 8.8m(typ) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-13.1A 12.8m(typ)Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating and hal
mtp2603q6.pdf
Spec. No. : C394Q6 Issued Date : 2006.11.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/5 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTP2603Q6 Description The MTP2603Q6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TSOP-6 package is u
mtp2603g6.pdf
Spec. No. : C394G6 Issued Date : 2006.11.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.11.21 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VID -5AMTP2603G6 RDSON@VGS=-10V, ID=-4.5A 35m(typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.2A 41m(typ.) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-2A 55m(typ.) RDSON@VGS=-1.8V, ID=-1A 60m(typ.) Description The MTP2603G6 is a P-channel enhancemen
mtp2603n6.pdf
Spec. No. : C394N6 Issued Date : 2007.12.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.31 Page No. : 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTP2603N6 Description The MTP2603N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOT-26 pac
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100