AO4407 datasheet, аналоги, основные параметры

AO4407 - это МОП-транзистор с усилением P-канала, предназначенный для высокоэффективной коммутации питания. Он обладает низким сопротивлением во включенном состоянии, что сводит к минимуму потери проводимости и повышает общую эффективность системы. Устройство поддерживает номинальное напряжение от стока к источнику до 30В, что делает его пригодным для коммутации нагрузки, управления питанием и применения в преобразователях постоянного тока в постоянный. AO4407 оптимизирован для управления затворами на логическом уровне, что обеспечивает надежную работу при низких напряжениях между затвором и источником. Он выполнен в компактном корпусе для поверхностного монтажа, что обеспечивает отличные тепловые характеристики и экономию места на печатных платах. МОП-транзистор обладает быстрыми характеристиками переключения, низким уровнем заряда затвора и высокой надежностью для бытовой, промышленной и автомобильной электроники.

Наименование производителя: AO4407  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AO4407

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4407 даташит

 ..1. Size:340K  aosemi
 ao4407.pdf pdf_icon

AO4407

AO4407 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V The AO4407 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-20V) -12A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-20V)

 ..2. Size:2315K  kexin
 ao4407.pdf pdf_icon

AO4407

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO4407 SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-12 A (VGS =-20V) 1.50 0.15 RDS(ON) 13m (VGS =-20V) D RDS(ON) 14m (VGS =-10V) D 1 Source 5 Drain RDS(ON) 30m (VGS =-5V) 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate G G S S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drai

 0.1. Size:332K  aosemi
 ao4407c.pdf pdf_icon

AO4407

AO4407C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -14A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 0.2. Size:207K  aosemi
 ao4407a.pdf pdf_icon

AO4407

AO4407A 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO4407A uses advanced trench technology to VDS = -30V provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge ID = -12A (VGS = -20V) with a 25V gate rating. This device is suitable for use as RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AO4312, AO4314, AO4354, AO4402, AO4403, AO4404B, AO4405, AO4406A, IRLZ44N, AO4407A, AO4409, AO4410, AO4411, AO4413, AO4415, AO4419, AO4420