AO4468 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AO4468
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
Тип корпуса: SO-8
AO4468 Datasheet (PDF)
ao4468.pdf
AO446830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4468 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 10.5Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)
ao4468.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4468 (KO4468)SOP-8 Features VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 10.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 17m (VGS = 10V)1 Source 5 Drain RDS(ON) 23m (VGS = 4.5V)6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Gat
ao4466.pdf
AO446630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO4466 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. This ID = 10A (VGS = 10V)device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON)
ao4466l.pdf
AO4466N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO4466/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. ThisID = 9.4A (VGS = 10V)device is suitable for use as a load switch or in PWMRDS(ON)
ao4466.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4466 (KO4466)SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 9.4 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 23m (VGS = 10V) RDS(ON) 35m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Gate
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918