AO4706. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO4706

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AO4706

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4706 даташит

 ..1. Size:207K  aosemi
 ao4706.pdf pdf_icon

AO4706

AO4706 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary TM SRFET The AO4706 uses advanced trench VDS (V) = 30V technology with a monolithically integrated Schottky ID =16.5A (VGS = 10V) diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is suitable for use as a low side RDS(ON)

 ..2. Size:1903K  kexin
 ao4706.pdf pdf_icon

AO4706

 9.1. Size:137K  aosemi
 ao4702.pdf pdf_icon

AO4706

AO4702 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features The AO4702 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = 30V excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky Diode is ID = 11A (VGS = 10V) packaged in parallel to improve device performance in RDS(ON)

 9.2. Size:191K  aosemi
 ao4708.pdf pdf_icon

AO4706

AO4708 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary TM SRFET AO4708 uses advanced trench technology VDS (V) = 30V with a monolithically integrated Schottky diode to ID =15A (VGS = 10V) provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is suitable for use as a low side FET in SMPS, RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AO4613, AO4614B, AO4616, AO4618, AO4620, AO4622, AO4627, AO4629, P60NF06, AO4710, AO4712, AO4714, AO4718, AO4720, AO4724, AO4752, AO4771