Справочник MOSFET. AO4706

 

AO4706 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO4706
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для AO4706

 

 

AO4706 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  aosemi
 ao4706.pdf

AO4706 AO4706

AO470630V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryTMSRFET The AO4706 uses advanced trenchVDS (V) = 30Vtechnology with a monolithically integrated SchottkyID =16.5A (VGS = 10V)diode to provide excellent RDS(ON),and low gatecharge. This device is suitable for use as a low side RDS(ON)

 ..2. Size:1903K  kexin
 ao4706.pdf

AO4706 AO4706

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFETAO4706 (KO4706)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 16.5 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 6.8m (VGS = 10V) RDS(ON) 8.2m (VGS = 4.5V)1 Source 5 DrainSRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode 6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25

 9.1. Size:137K  aosemi
 ao4702.pdf

AO4706 AO4706

AO4702N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky DiodeGeneral DescriptionFeaturesThe AO4702 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = 30Vexcellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky Diode is ID = 11A (VGS = 10V)packaged in parallel to improve device performance in RDS(ON)

 9.2. Size:191K  aosemi
 ao4708.pdf

AO4706 AO4706

AO470830V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryTMSRFET AO4708 uses advanced trench technologyVDS (V) = 30Vwith a monolithically integrated Schottky diode toID =15A (VGS = 10V)provide excellent RDS(ON),and low gate charge. Thisdevice is suitable for use as a low side FET in SMPS, RDS(ON)

 9.3. Size:1573K  kexin
 ao4702.pdf

AO4706 AO4706

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFETAO4702 (KO4702)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 11 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 16m (VGS = 10V) RDS(ON) 25m (VGS = 4.5V)1 S/A 8 D/K2 S/A 7 D/K VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF

 9.4. Size:1757K  kexin
 ao4705.pdf

AO4706 AO4706

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFETAO4705 (KO4705)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = -30V ID = -10 A (VGS = -10V) 0.151.50 RDS(ON) 14m (VGS = 20V)5 D/K RDS(ON) 16m (VGS = -10V) 1 A6 D/K2 S VDS (V) = 30V, IF = 5A, VF

 9.5. Size:1565K  kexin
 ao4704.pdf

AO4706 AO4706

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFETAO4704 (KO4704)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 13 A (VGS = 10V) RDS(ON) 11.5m (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 13m (VGS = 4.5V) VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: ASDM3080KQ

 

 
Back to Top