AO4710. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO4710

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 317 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0118 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AO4710

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4710 даташит

 ..1. Size:206K  aosemi
ao4710.pdfpdf_icon

AO4710

AO4710 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary TM SRFET The AO4710 uses advanced trench VDS (V) = 30V technology with a monolithically integrated Schottky ID =12.7A (VGS = 10V) diode to provide excellent RDS(ON), and low gate charge. This device is suitable for use as a low side RDS(ON)

 ..2. Size:1858K  kexin
ao4710.pdfpdf_icon

AO4710

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4710 (KO4710) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = 30V 1.50 0.15 ID = 12.7 A (VGS = 10V) RDS(ON) 11.8m (VGS = 10V) RDS(ON) 14.2m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source SRFETTM Soft Recovery MOSFET Integrated Schottky Diode 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta =

 9.1. Size:278K  aosemi
ao4712.pdfpdf_icon

AO4710

AO4712 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary VDS 30V SRFETTM AO4712 uses advanced trench technology with ID (at VGS=10V) 13A a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:187K  aosemi
ao4718.pdfpdf_icon

AO4710

AO4718 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Features TM SRFET The AO4718 uses advanced trench VDS (V) = 30V technology with a monolithically integrated ID =15A (VGS = 10V) Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is suitable for use RDS(ON)

Другие IGBT... AO4614B, AO4616, AO4618, AO4620, AO4622, AO4627, AO4629, AO4706, 75N75, AO4712, AO4714, AO4718, AO4720, AO4724, AO4752, AO4771, AO4800