Справочник MOSFET. AO4830

 

AO4830 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO4830
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для AO4830

 

 

AO4830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  aosemi
 ao4830.pdf

AO4830 AO4830

AO483080V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS (V) = 80VThe AO4830 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gate charge . ThisID = 3.5A (VGS = 10V)device is suitable for use as a load switch or in PWMRDS(ON)

 ..2. Size:1327K  kexin
 ao4830.pdf

AO4830 AO4830

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4830 (KO4830)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 80V ID = 3.5A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 75m (VGS = 10V)1 S2 5 D1 6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D1 D2G1 G2S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 80V Gate-Source Voltage VGS 30 TA=25 3.

 9.1. Size:598K  aosemi
 ao4838.pdf

AO4830 AO4830

AO483830V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4838 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 11Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:546K  aosemi
 ao4832.pdf

AO4830 AO4830

AO483230V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4832 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) with low gate charge. ID (at VGS=10V) 10AThis device is suitable for high side switch in SMPS and RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:2288K  kexin
 ao4838.pdf

AO4830 AO4830

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4838 (KO4838)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 11A (VGS = 10V) RDS(ON) 9.6m (VGS = 10V) 1 S2 5 D1 RDS(ON) 13m (VGS = 4.5V)6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D1 D2D1 D2G1 G2G1 G2S1 S2S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Volt

 9.4. Size:1980K  kexin
 ao4832.pdf

AO4830 AO4830

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4832 (KO4832)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 10A (VGS = 10V) RDS(ON) 13m (VGS = 10V)1 S2 5 D1 RDS(ON) 17.5m (VGS = 4.5V)6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D1 D2D1 D2G1 G2G1 G2S1 S2S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vol

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top