AO4838 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AO4838
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm
Тип корпуса: SO-8
AO4838 Datasheet (PDF)
ao4838.pdf
AO483830V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4838 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 11Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)
ao4838.pdf
SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4838 (KO4838)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 11A (VGS = 10V) RDS(ON) 9.6m (VGS = 10V) 1 S2 5 D1 RDS(ON) 13m (VGS = 4.5V)6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D1 D2D1 D2G1 G2G1 G2S1 S2S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Volt
ao4830.pdf
AO483080V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS (V) = 80VThe AO4830 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gate charge . ThisID = 3.5A (VGS = 10V)device is suitable for use as a load switch or in PWMRDS(ON)
ao4832.pdf
AO483230V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4832 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) with low gate charge. ID (at VGS=10V) 10AThis device is suitable for high side switch in SMPS and RDS(ON) (at VGS=10V)
ao4830.pdf
SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4830 (KO4830)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 80V ID = 3.5A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 75m (VGS = 10V)1 S2 5 D1 6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D1 D2G1 G2S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 80V Gate-Source Voltage VGS 30 TA=25 3.
ao4832.pdf
SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4832 (KO4832)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 10A (VGS = 10V) RDS(ON) 13m (VGS = 10V)1 S2 5 D1 RDS(ON) 17.5m (VGS = 4.5V)6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D1 D2D1 D2G1 G2G1 G2S1 S2S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vol
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918