Справочник MOSFET. AO4924

 

AO4924 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO4924
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9(7.3) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.7(3.5) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 224(88) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0158(0.024) Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для AO4924

 

 

AO4924 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  aosemi
 ao4924.pdf

AO4924 AO4924

AO4924Asymmetric Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4924 uses advanced trench technology to FET1 FET2provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The VDS (V) = 30V VDS(V) = 30Vtwo MOSFETs make a compact and efficient switch ID = 9A ID=7.3A (VGS = 10V)and synchronous rectifier combination for use in DC-RDS(ON)

 ..2. Size:2020K  kexin
 ao4924.pdf

AO4924 AO4924

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4924 (KO4924)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V ID = 9 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 15.8m (VGS = 10V) RDS(ON) 19.5m (VGS = 4.5V)1 S1 5 D2 SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode6 D22 G1N-Channel 2 7 D13 S28 D14 G2 VDS (V) = 30V ID = 7.3 A (VGS =

 9.1. Size:237K  aosemi
 ao4928.pdf

AO4924 AO4924

AO4928Asymmetric Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4928 uses advanced trench technology to FET1 FET2provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The two VDS (V) = 30V VDS(V) = 30VMOSFETs make a compact and efficient switch and ID = 9A ID=7.3A (VGS = 10V)synchronous rectifier combination for use in DC-DCRDS(ON)

 9.2. Size:239K  aosemi
 ao4926.pdf

AO4924 AO4924

AO4926Asymmetric Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4926 uses advanced trench technology to FET1 FET2provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The VDS (V) = 30V VDS(V) = 30Vtwo MOSFETs make a compact and efficient switch ID = 9.5A ID=7.3A (VGS = 10V)and synchronous rectifier combination for use in DC-RDS(ON)

 9.3. Size:239K  aosemi
 ao4922.pdf

AO4924 AO4924

AO4922Asymmetric Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4922 uses advanced trench technology to FET1 FET2provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The VDS (V) = 30V VDS(V) = 30Vtwo MOSFETs make a compact and efficient switch ID = 9A ID=7.3A (VGS = 10V)and synchronous rectifier combination for use in DC-RDS(ON)

 9.4. Size:2519K  kexin
 ao4922.pdf

AO4924 AO4924

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4922 (KO4922)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 9 A (VGS = 10V) RDS(ON) 15.8m (VGS = 10V)1 S1 5 D2 6 D22 G1 RDS(ON) 18.5m (VGS = 4.5V)7 D13 S2SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode 8 D1 4 G2N-Channel 2 VDS (V) = 30V ID = 7.3 A (VGS =

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top