AO5800E - описание и поиск аналогов

 

AO5800E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO5800E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: SC89-6

Аналог (замена) для AO5800E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO5800E даташит

 ..1. Size:159K  aosemi
 ao5800e.pdf pdf_icon

AO5800E

AO5800E Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO5800E uses advanced trench technology to VDS (V) = 60V provide excellent RDS(ON), low gate charge, and ID = 0.4A (VGS = 10V) operation with gate voltages as low as 4.5V, in the RDS(ON)

 9.1. Size:111K  aosemi
 ao5803e.pdf pdf_icon

AO5800E

AO5803E Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO5803E/L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20V provide excellent RDS(ON), low gate charge, and ID = -0.6A (VGS = -4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V, in the RDS(ON)

 9.2. Size:201K  aosemi
 ao5804e.pdf pdf_icon

AO5800E

AO5804E Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO5804E/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 20V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 0.5 A (VGS = 4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V. This RDS(ON)

Другие MOSFET... AO4932 , AO4938 , AO4940 , AO4948 , AO4952 , AO5401E , AO5404E , AO5600E , AON7408 , AO5803E , AO5804E , AO6400 , AO6401 , AO6401A , AO6402 , AO6402A , AO6403 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.