Справочник MOSFET. AO5800E

 

AO5800E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO5800E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: SC89-6
 

 Аналог (замена) для AO5800E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO5800E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  aosemi
 ao5800e.pdf pdf_icon

AO5800E

AO5800EDual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeaturesThe AO5800E uses advanced trench technology toVDS (V) = 60Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge, andID = 0.4A (VGS = 10V)operation with gate voltages as low as 4.5V, in theRDS(ON)

 9.1. Size:111K  aosemi
 ao5803e.pdf pdf_icon

AO5800E

AO5803EDual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO5803E/L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge, andID = -0.6A (VGS = -4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V, in theRDS(ON)

 9.2. Size:201K  aosemi
 ao5804e.pdf pdf_icon

AO5800E

AO5804EDual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO5804E/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 0.5 A (VGS = 4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V. This RDS(ON)

Другие MOSFET... AO4932 , AO4938 , AO4940 , AO4948 , AO4952 , AO5401E , AO5404E , AO5600E , 2N7000 , AO5803E , AO5804E , AO6400 , AO6401 , AO6401A , AO6402 , AO6402A , AO6403 .

History: CJQ4406 | S10H08R | RXH100N03 | BRF7N65 | SI2341 | DMN2104L-7 | TSM2303CX

 

 
Back to Top

 


 
.