FSS913AOR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSS913AOR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для FSS913AOR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSS913AOR даташит

 6.1. Size:65K  intersil
 fss913ao.pdf pdf_icon

FSS913AOR

FSS913A0D, FSS913A0R Data Sheet June 1999 File Number 4451.3 10A, -100V, 0.280 Ohm, Radiation Features Hardened, SEGR Resistant, P-Channel 10A, -100V, rDS(ON) = 0.280 Power MOSFETs Total Dose The Discrete Products Operation of Intersil has developed a - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) series of Radiation Hardened MOSFETs specifically designed for commercial an

 8.1. Size:44K  intersil
 fss9130.pdf pdf_icon

FSS913AOR

FSS9130D, FSS9130R 6A, -100V, 0.660 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs Features Description 6A, -100V, rDS(ON) = 0.660 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RA

Другие IGBT... FSS23A4R, FSS23AOD, FSS23AOR, FSS430D, FSS430R, FSS9130D, FSS9130R, FSS913AOD, 4N60, FSS9230D, FSS9230R, FSS923AOD, FSS923AOR, FSYA250D, FSYA250R, GFB50N03, GFB70N03