FSS923AOR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSS923AOR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для FSS923AOR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSS923AOR даташит

 6.1. Size:45K  harris semi
 fss923ao.pdf pdf_icon

FSS923AOR

FSS923AOD, S E M I C O N D U C T O R FSS923AOR Radiation Hardened, SEGR Resistant February 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Description 7A, -200V, rDS(ON) = 0.650 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductor has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dose specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOS

 8.1. Size:44K  intersil
 fss9230.pdf pdf_icon

FSS923AOR

FSS9230D, FSS9230R 4A, -200V, 1.60 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs Features Description 4A, -200V, rDS(ON) = 1.60 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD

Другие IGBT... FSS430R, FSS9130D, FSS9130R, FSS913AOD, FSS913AOR, FSS9230D, FSS9230R, FSS923AOD, 10N65, FSYA250D, FSYA250R, GFB50N03, GFB70N03, GFD30N03, GFP50N03, GFP70N03, H5N2001LD