Справочник MOSFET. AOB2918L

 

AOB2918L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOB2918L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 267 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1530 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для AOB2918L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOB2918L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  aosemi
 aob2918l.pdf pdf_icon

AOB2918L

AOT2918L/AOB2918L/AOTF2918L100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOT2918L & AOB2918L & AOTF2918L uses Trench 100VMOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 90Athe most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:238K  inchange semiconductor
 aob2918l.pdf pdf_icon

AOB2918L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOB2918LFEATURESDrain Current I = 90A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgener

 8.1. Size:381K  aosemi
 aob2910l aot2910l aotf2910l.pdf pdf_icon

AOB2918L

AOT2910L/AOB2910L/AOTF2910L100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOT2910L & AOB2910L & AOTF2910L uses trench 100VMOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 30A / 22Athe most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:434K  aosemi
 aob2910l.pdf pdf_icon

AOB2918L

AOT2910L/AOB2910L/AOTF2910L100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOT2910L & AOB2910L & AOTF2910L uses trench 100VMOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 30A / 22Athe most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOB27S60 , AOB280L , AOB282L , AOB284L , AOB286L , AOB288L , AOB290L , AOB2910L , IRFP260 , AOB292L , AOB296L , AOB298L , AOB29S50 , AOB409L , AOB410L , AOB411L , AOB412L .

History: DMT3009LFVW-7 | IRFU3704PBF

 

 
Back to Top

 


 
.