Справочник MOSFET. AOD1N60

 

AOD1N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD1N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AOD1N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:344K  aosemi
 aod1n60.pdf pdf_icon

AOD1N60

AOD1N60/AOU1N60/AOI1N60600V,1.3A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD1N60 & AOU1N60 & AOI1N60 have beenfabricated using an advanced high voltage MOSFET VDS 700V@150process that is designed to deliver high levels of ID (at VGS=10V) 1.3Aperformance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
 aod1n60.pdf pdf_icon

AOD1N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD1N60FEATURESDrain Current I =1.3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... AOC2422 , AOC2423 , AOC2800 , AOC2802 , AOC2804 , AOC2806 , AOC4810 , AOD11S60 , IRFB31N20D , AOD200 , AOD208 , AOD210 , AOD2210 , AOD240 , AOD242 , AOD254 , AOD2544 .

History: AS3019E | 5N65KL-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.