Справочник MOSFET. AOD2816

 

AOD2816 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOD2816
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для AOD2816

 

 

AOD2816 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:298K  aosemi
 aod2816.pdf

AOD2816 AOD2816

AOD281680V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS80VThe AOD2816 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 35Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 aod2816.pdf

AOD2816 AOD2816

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD2816FEATURESDrain Current I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =80V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =15m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

 8.1. Size:288K  aosemi
 aod2810.pdf

AOD2816 AOD2816

AOD281080V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS80VThe AOD2810 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 46Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:262K  inchange semiconductor
 aod2810.pdf

AOD2816 AOD2816

Isc N-Channel MOSFET Transistor AOD2810FEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltag

 9.1. Size:453K  aosemi
 aod280a60.pdf

AOD2816 AOD2816

AOD280A60/AOI280A60TM600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 56A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top