AOD8N25 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOD8N25
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.56 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для AOD8N25
AOD8N25 Datasheet (PDF)
aod8n25.pdf

AOD8N25/AOI8N25250V,8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD8N25 & AOI8N25 have been fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed VDS 300V@150to deliver high levels of performance and robustness in ID (at VGS=10V) 8Apopular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)
aod8n25.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD8N25FEATURESDrain Current I = 8.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.56(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos
Другие MOSFET... AOD603A , AOD607 , AOD609 , AOD6N50 , AOD7N60 , AOD7N65 , AOD7S60 , AOD7S65 , IRF830 , AOD9N40 , AOD9N50 , AOD9N52 , AOD9T40P , AOH3106 , AOH3110 , AOI11S60 , AOI1N60 .
History: MMFT2N02ELT1
History: MMFT2N02ELT1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent