Справочник MOSFET. AOD8N25

 

AOD8N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD8N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.56 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AOD8N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD8N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  aosemi
 aod8n25.pdf pdf_icon

AOD8N25

AOD8N25/AOI8N25250V,8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD8N25 & AOI8N25 have been fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed VDS 300V@150to deliver high levels of performance and robustness in ID (at VGS=10V) 8Apopular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 aod8n25.pdf pdf_icon

AOD8N25

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD8N25FEATURESDrain Current I = 8.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.56(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Другие MOSFET... AOD603A , AOD607 , AOD609 , AOD6N50 , AOD7N60 , AOD7N65 , AOD7S60 , AOD7S65 , IRF830 , AOD9N40 , AOD9N50 , AOD9N52 , AOD9T40P , AOH3106 , AOH3110 , AOI11S60 , AOI1N60 .

History: AP75T10GP | HGP130N12SL | 2SK655 | SVF12N65K | PM516BZ | NCEP40P65QU | P5015BD

 

 
Back to Top

 


 
.