Справочник MOSFET. AOI478

 

AOI478 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOI478
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO-251A

 Аналог (замена) для AOI478

 

 

AOI478 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  aosemi
 aod478 aoi478.pdf

AOI478 AOI478

AOD478/AOI478100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOD478/AOI478 combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistance package to ID (at VGS=10V) 11Aprovide extremely low RDS(ON). This device is ideal for RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:422K  aosemi
 aoi478.pdf

AOI478 AOI478

AOD478/AOI478100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOD478/AOI478 combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistance package to ID (at VGS=10V) 11Aprovide extremely low RDS(ON). This device is ideal for RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:274K  inchange semiconductor
 aoi478.pdf

AOI478 AOI478

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI478FEATURESDrain Current I = 11A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 140m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 9.1. Size:158K  aosemi
 aoi472a.pdf

AOI478 AOI478

AOI472AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOI472A is fabricated with SDMOSTM trench VDS (V) =25Vtechnology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with (VGS = 10V)ID = 50Acontrolled switching behavior. This universal technology (VGS = 10V)RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top