AOI7N65
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AOI7N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 7
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 19.6
nC
trⓘ -
Время нарастания: 43
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 86
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.56
Ohm
Тип корпуса: TO-251A
Аналог (замена) для AOI7N65
AOI7N65
Datasheet (PDF)
..1. Size:461K aosemi
aoi7n65.pdf AOD7N65/AOI7N65650V,7A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD7N65 & AOI7N65 have been fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed VDS 750V@150to deliver high levels of performance and robustness in ID (at VGS=10V) 7Apopular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)
..2. Size:274K inchange semiconductor
aoi7n65.pdf isc N-Channel MOSFET Transistor AOI7N65FEATURESDrain Current I = 7.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.56(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos
8.1. Size:387K aosemi
aoi7n60.pdf AOD7N60/AOI7N60600V,7A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD7N60 & AOI7N60 have been fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed VDS 700V@150to deliver high levels of performance and robustness in ID (at VGS=10V) 7Apopular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)
8.2. Size:274K inchange semiconductor
aoi7n60.pdf isc N-Channel MOSFET Transistor AOI7N60FEATURESDrain Current I = 7.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
Другие MOSFET... WPB4002
, FDM15-06KC5
, FQD2N60CTM
, FDM47-06KC5
, FDPF045N10A
, FMD15-06KC5
, FDMS8672S
, FMD21-05QC
, IRFP250N
, FDMS86368F085
, FMD47-06KC5
, FDBL86361F085
, FMK75-01F
, FMM110-015X2F
, FMM150-0075X2F
, FMM22-05PF
, FMM22-06PF
.