Справочник MOSFET. AON2707

 

AON2707 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AON2707
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.117 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2

 Аналог (замена) для AON2707

 

 

AON2707 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  aosemi
 aon2707.pdf

AON2707 AON2707

AON270730V P-Channel MOSFETwith Schottky DiodeGeneral Description Product SummaryVDSThe AON2707 uses advanced trench technology to -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky ID (at VGS=-10V) -4Adiode is provided to facilitate the implementation of a RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.1. Size:393K  aosemi
 aon2705.pdf

AON2707 AON2707

AON270530V P-Channel MOSFETwith Schottky DiodeGeneral Description Product SummaryVDSThe AON2705 uses advanced trench technology to -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky ID (at VGS=-10V) -3.0Adiode is provided to facilitate the implementation of a RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.2. Size:222K  aosemi
 aon2701.pdf

AON2707 AON2707

AON2701P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorwith Schottky DiodeGeneral Description FeaturesThe AON2701/L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. A ID = -3A (VGS = -4.5V)Schottky diode is provided to facilitate the RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top