Справочник MOSFET. AON2707

 

AON2707 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON2707
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.117 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2
 

 Аналог (замена) для AON2707

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON2707 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  aosemi
 aon2707.pdf pdf_icon

AON2707

AON270730V P-Channel MOSFETwith Schottky DiodeGeneral Description Product SummaryVDSThe AON2707 uses advanced trench technology to -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky ID (at VGS=-10V) -4Adiode is provided to facilitate the implementation of a RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.1. Size:393K  aosemi
 aon2705.pdf pdf_icon

AON2707

AON270530V P-Channel MOSFETwith Schottky DiodeGeneral Description Product SummaryVDSThe AON2705 uses advanced trench technology to -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky ID (at VGS=-10V) -3.0Adiode is provided to facilitate the implementation of a RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.2. Size:222K  aosemi
 aon2701.pdf pdf_icon

AON2707

AON2701P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorwith Schottky DiodeGeneral Description FeaturesThe AON2701/L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. A ID = -3A (VGS = -4.5V)Schottky diode is provided to facilitate the RDS(ON)

Другие MOSFET... AON2407 , AON2408 , AON2409 , AON2410 , AON2411 , AON2420 , AON2701 , AON2705 , AON6380 , AON2800 , AON2801 , AON2802 , AON2803 , AON2809 , AON2810 , AON2812 , AON3402 .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.