AON2812 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

AON2812. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON2812

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2

Аналог (замена) для AON2812

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

AON2812 даташит

..1. Size:243K aosemi
aon2812.pdf pdf_icon

AON2812 30V Dual N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.1. Size:250K aosemi
aon2810.pdf pdf_icon

AON2810 30V Dual N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 2.5V VGS ID (at VGS=10V) 2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

9.1. Size:262K aosemi
aon2800.pdf pdf_icon

AON2800 20V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 20V The AON2800 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=4.5V) 4.5A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=4.5V)

9.2. Size:232K aosemi
aon2880.pdf pdf_icon

AON2880 20V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 20V The AON2880 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 7A extremely low RDS(ON). This device contains two RDS(ON) (at VGS =4.5V)