Справочник MOSFET. AON6290

 

AON6290 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AON6290
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для AON6290

 

 

AON6290 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  aosemi
aon6290.pdf

AON6290
AON6290

AON6290100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 100VThe AON6290 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 85Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:265K  1
aon6298.pdf

AON6290
AON6290

AON6298100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AON6298 uses trench MOSFET technology that is 100Vuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 46Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:260K  aosemi
aon6294.pdf

AON6290
AON6290

AON6294100V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power AlphaMOS (MOS MV) technology 100V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 52A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:263K  aosemi
aon6292.pdf

AON6290
AON6290

AON6292100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AON6292 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 85Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.4. Size:265K  aosemi
aon6298.pdf

AON6290
AON6290

AON6298100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AON6298 uses trench MOSFET technology that is 100Vuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 46Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top