AON6414A datasheet, аналоги, основные параметры

AON6414A - это высокопроизводительный N-канальный МОП-транзистор, предназначенный для низковольтных систем управления питанием. Построенный по передовой технологии trench MOSFET, он обеспечивает исключительно низкий уровень Rds(on), что обеспечивает эффективную проводимость и снижение тепловыделения в компактных конструкциях. Типичные области применения включают преобразователи постоянного тока в постоянный, переключение нагрузки, системы с батарейным питанием, ноутбуки. Благодаря максимальному напряжению стока-истока 30В и постоянному току стока 50А (в зависимости от температурных условий) AON6414A поддерживает работу с высокоточными цепями, требующими повышенных нагрузок. Низкий уровень заряда затвора повышает эффективность коммутации, снижая потери в высокочастотных цепях. Размещенный в корпусе DFN5X6, он обеспечивает отличные тепловые характеристики при минимальной занимаемой площади при плотной компоновке печатных плат.

Наименование производителя: AON6414A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AON6414A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6414A даташит

 ..1. Size:268K  aosemi
 aon6414a.pdf pdf_icon

AON6414A

AON6414A 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AON6414A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge.This device is ID (at VGS=10V) 30A suitable for use as a high side switch in SMPS and RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:265K  1
 aon6414al.pdf pdf_icon

AON6414A

AON6414AL 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AON6414AL uses advanced trench technology to 30V provide excellent RDS(ON), low gate charge.This device is ID (at VGS=10V) 50A suitable for use as a high side switch in SMPS and

 0.2. Size:384K  aosemi
 aon6414al.pdf pdf_icon

AON6414A

AON6414A 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AON6414A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge.This device is ID (at VGS=10V) 50A suitable for use as a high side switch in SMPS and RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:156K  aosemi
 aon6414.pdf pdf_icon

AON6414A

AON6414 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AON6414 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 30A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON6400, AON6403, AON6404, AON6404A, AON6405, AON6407, AON6411, AON6413, AON7408, AON6416, AON6424, AON6426, AON6428, AON6435, AON6440, AON6442, AON6444