Справочник MOSFET. AON6440

 

AON6440 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6440
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6440

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6440 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  aosemi
aon6440.pdfpdf_icon

AON6440

AON644040V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product SummaryVDS 40VThe AON6440 is fabricated with SDMOSTM trench ID (at VGS=10V) 85Atechnology that combines excellent RDS(ON) with low gatecharge.The result is outstanding efficiency with controlled RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:305K  aosemi
aon6442.pdfpdf_icon

AON6440

AON644240V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40VThe AON6442 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 32Afrequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:273K  aosemi
aon6448.pdfpdf_icon

AON6440

AON644880V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product SummaryVDS80VThe AON6448 is fabricated with SDMOSTM trench ID (at VGS=10V) 65Atechnology that combines excellent RDS(ON) with low gatecharge.The result is outstanding efficiency with controlled RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:264K  aosemi
aon6444.pdfpdf_icon

AON6440

AON644460V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product SummaryVDS 60VThe AON6444 is fabricated with SDMOSTM trench ID (at VGS=10V) 81Atechnology that combines excellent RDS(ON) with low gatecharge.The result is outstanding efficiency with controlled RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AON6416

 

 
Back to Top

 


 
.