AON6440 - описание и поиск аналогов

 

AON6440. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON6440

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6440

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6440 даташит

 ..1. Size:262K  aosemi
 aon6440.pdf pdf_icon

AON6440

 8.1. Size:305K  aosemi
 aon6442.pdf pdf_icon

AON6440

AON6442 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 40V The AON6442 uses trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 32A frequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:273K  aosemi
 aon6448.pdf pdf_icon

AON6440

AON6448 80V N-Channel MOSFET TM SDMOS General Description Product Summary VDS 80V The AON6448 is fabricated with SDMOSTM trench ID (at VGS=10V) 65A technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with controlled RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:264K  aosemi
 aon6444.pdf pdf_icon

AON6440

AON6444 60V N-Channel MOSFET TM SDMOS General Description Product Summary VDS 60V The AON6444 is fabricated with SDMOSTM trench ID (at VGS=10V) 81A technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with controlled RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6411 , AON6413 , AON6414A , AON6416 , AON6424 , AON6426 , AON6428 , AON6435 , K3569 , AON6442 , AON6444 , AON6448 , AON6450 , AON6452 , AON6454A , AON6458 , AON6482 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.