AON6444 - описание и поиск аналогов

 

AON6444. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON6444

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6444

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6444 даташит

 ..1. Size:264K  aosemi
aon6444.pdfpdf_icon

AON6444

AON6444 60V N-Channel MOSFET TM SDMOS General Description Product Summary VDS 60V The AON6444 is fabricated with SDMOSTM trench ID (at VGS=10V) 81A technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with controlled RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:305K  aosemi
aon6442.pdfpdf_icon

AON6444

AON6442 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 40V The AON6442 uses trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 32A frequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:262K  aosemi
aon6440.pdfpdf_icon

AON6444

 8.3. Size:273K  aosemi
aon6448.pdfpdf_icon

AON6444

AON6448 80V N-Channel MOSFET TM SDMOS General Description Product Summary VDS 80V The AON6448 is fabricated with SDMOSTM trench ID (at VGS=10V) 65A technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with controlled RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AON6414A , AON6416 , AON6424 , AON6426 , AON6428 , AON6435 , AON6440 , AON6442 , 4435 , AON6448 , AON6450 , AON6452 , AON6454A , AON6458 , AON6482 , AON6484 , AON6486 .

History: AON6452

 

 

 

 

↑ Back to Top
.