AON6508 - описание и поиск аналогов

 

AON6508. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON6508

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6508

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6508 даташит

 ..1. Size:204K  1
 aon6508.pdf pdf_icon

AON6508

AON6508 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:204K  aosemi
 aon6508.pdf pdf_icon

AON6508

AON6508 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:275K  aosemi
 aon6500.pdf pdf_icon

AON6508

AON6500 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 200A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:206K  aosemi
 aon6504.pdf pdf_icon

AON6508

AON6504 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6458 , AON6482 , AON6484 , AON6486 , AON6500 , AON6502 , AON6504 , AON6506 , NCEP15T14 , AON6510 , AON6512 , AON6516 , AON6518 , AON6520 , AON6522 , AON6524 , AON6526 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.