AON6810
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AON6810
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 20
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
trⓘ -
Время нарастания: 3.5
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 746
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044
Ohm
Тип корпуса: DFN5X6BEP1
Аналог (замена) для AON6810
AON6810
Datasheet (PDF)
..1. Size:299K aosemi
aon6810.pdf 
AON6810AlphaMOS 30V Common Drain N-Channel General Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
8.1. Size:276K aosemi
aon6812.pdf 
AON6812AlphaMOS 30V Common Drain N-ChannelGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 28A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
8.2. Size:282K aosemi
aon6816.pdf 
AON681630V Dual N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 16A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
9.1. Size:640K 1
aon6884.pdf 
AON688440V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40VThe AON6884 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) with low gate charge. This is an ID (at VGS=10V) 34Aall purpose device that is suitable for use in a wide range RDS(ON) (at VGS=10V)
9.2. Size:261K aosemi
aon6850.pdf 
AON6850100V Dual N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AON6850 is fabricated with SDMOSTM trench ID (at VGS=10V) 28Atechnology that combines excellent RDS(ON) with low gate
9.3. Size:244K aosemi
aon6884.pdf 
AON688440V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40VThe AON6884 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) with low gate charge. This is an ID (at VGS=10V) 34Aall purpose device that is suitable for use in a wide range RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.
