Справочник MOSFET. AON7702B

 

AON7702B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AON7702B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP

 Аналог (замена) для AON7702B

 

 

AON7702B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  aosemi
 aon7702b.pdf

AON7702B AON7702B

AON7702B30V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryVDS30VSRFETTM AON7702B uses advanced trench technology ID (at VGS=10V) 20Awith a monolithically integrated Schottky diode to provideexcellent RDS(ON),and low gate charge. This device is RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:157K  aosemi
 aon7702a.pdf

AON7702B AON7702B

AON7702A30V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryVDS30VSRFETTM AON7702A uses advanced trench technology ID (at VGS=10V) 36Awith a monolithically integrated Schottky diode to provideexcellent RDS(ON),and low gate charge. This device is RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:283K  aosemi
 aon7702.pdf

AON7702B AON7702B

AON770230V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryVDS30VSRFETTM AON7702 uses advanced trench technology ID (at VGS=10V) 37Awith a monolithically integrated Schottky diode to provideexcellent RDS(ON),and low gate charge. This device is RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:296K  aosemi
 aon7700.pdf

AON7702B AON7702B

AON770030V N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryVDS30VSRFETTM AON7700 uses advanced trench technology ID (at VGS=10V) 40Awith a monolithically integrated Schottky diode to provideexcellent RDS(ON),and low gate charge. This device is RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top