AOT1608L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOT1608L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 721 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0076 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AOT1608L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT1608L даташит

 ..1. Size:415K  aosemi
 aot1608l aob1608l.pdf pdf_icon

AOT1608L

AOT1608L/AOB1608L 60V N-Channel Rugged Planar MOSFET General Description Product Summary VDS 60V The AOT1608L/AOB1608L uses a robust technology that is designed to provide efficient and reliable power ID (at VGS=10V) 140A conversion even in the most demanding applications, RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:415K  aosemi
 aot1608l.pdf pdf_icon

AOT1608L

AOT1608L/AOB1608L 60V N-Channel Rugged Planar MOSFET General Description Product Summary VDS 60V The AOT1608L/AOB1608L uses a robust technology that is designed to provide efficient and reliable power ID (at VGS=10V) 140A conversion even in the most demanding applications, RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:260K  inchange semiconductor
 aot1608l.pdf pdf_icon

AOT1608L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT1608L FEATURES Drain Current I = 140A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 7.6m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 8.1. Size:490K  aosemi
 aotf160a60l aot160a60l aob160a60l.pdf pdf_icon

AOT1608L

AOTF160A60L/AOT160A60L/AOB160A60L TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 96A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOT12N60FD, AOT12N65, AOT13N50, AOT1404L, AOT14N50, AOT14N50FD, AOT15S60, AOT1606L, AON6414A, AOT16N50, AOT1N60, AOT20C60, AOT20N25, AOT20N60, AOT20S60, AOT210L, AOT22N50