AOT20N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT20N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AOT20N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT20N25 даташит

 ..1. Size:285K  aosemi
 aot20n25.pdf pdf_icon

AOT20N25

AOT20N25 250V,20A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 300V@150 The AOT20N25 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 20A levels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 aot20n25.pdf pdf_icon

AOT20N25

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT20N25 FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.17 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 0.1. Size:285K  aosemi
 aot20n25l.pdf pdf_icon

AOT20N25

AOT20N25 250V,20A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 300V@150 The AOT20N25 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 20A levels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:383K  aosemi
 aot20n60 aotf20n60.pdf pdf_icon

AOT20N25

AOT20N60/AOTF20N60 600V,20A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150 The AOT20N60 & AOTF20N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 20A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOT14N50, AOT14N50FD, AOT15S60, AOT1606L, AOT1608L, AOT16N50, AOT1N60, AOT20C60, IRFB4115, AOT20N60, AOT20S60, AOT210L, AOT22N50, AOT240L, AOT2500L, AOT254L, AOT25S65