AOT404. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT404

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 105 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 204 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AOT404

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT404 даташит

 ..1. Size:109K  aosemi
 aot404.pdf pdf_icon

AOT404

AOT404 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOT404 uses advanced trench technology and VDS (V) = 105V design to provide excellent RDS(ON) with low gate ID = 40 A (VGS =10V) charge. This device is suitable for use in high voltage RDS(ON)

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 aot404.pdf pdf_icon

AOT404

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT404 FEATURES Drain Current I = 40A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 105V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 28m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 9.1. Size:66K  aosemi
 aot402.pdf pdf_icon

AOT404

AOT402 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOT402 uses advanced trench technology and VDS (V) = 105V design to provide excellent RDS(ON) with low gate ID = 110 A (VGS = 10V) charge. This device is suitable for use in PWM, load RDS(ON)

 9.2. Size:67K  aosemi
 aot400.pdf pdf_icon

AOT404

AOT400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOT400 uses advanced trench technology and VDS (V) = 75V design to provide excellent RDS(ON) with low gate ID = 110 A (VGS = 10V) charge. This device is suitable for use in PWM, load RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOT292L, AOT296L, AOT298L, AOT29S50, AOT2N60, AOT3N100, AOT3N50, AOT3N60, AO4407, AOT410L, AOT412, AOT414, AOT416, AOT418L, AOT424, AOT42S60, AOT430