AOT404 - аналоги и даташиты транзистора

 

AOT404 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOT404
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 105 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 204 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для AOT404

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT404 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  aosemi
 aot404.pdf pdf_icon

AOT404

AOT404N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOT404 uses advanced trench technology and VDS (V) = 105Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate ID = 40 A (VGS =10V)charge. This device is suitable for use in high voltage RDS(ON)

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 aot404.pdf pdf_icon

AOT404

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT404FEATURESDrain Current I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 105V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 28m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 9.1. Size:66K  aosemi
 aot402.pdf pdf_icon

AOT404

AOT402N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOT402 uses advanced trench technology and VDS (V) = 105Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate ID = 110 A (VGS = 10V)charge. This device is suitable for use in PWM, load RDS(ON)

 9.2. Size:67K  aosemi
 aot400.pdf pdf_icon

AOT404

AOT400N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOT400 uses advanced trench technology and VDS (V) = 75Vdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate ID = 110 A (VGS = 10V)charge. This device is suitable for use in PWM, load RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOT292L , AOT296L , AOT298L , AOT29S50 , AOT2N60 , AOT3N100 , AOT3N50 , AOT3N60 , P60NF06 , AOT410L , AOT412 , AOT414 , AOT416 , AOT418L , AOT424 , AOT42S60 , AOT430 .

 

 
Back to Top

 


 
.