AOT430. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT430

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 268 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AOT430

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT430 даташит

 ..1. Size:75K  aosemi
 aot430.pdf pdf_icon

AOT430

AOT430 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOT430 uses advanced trench technology and VDS (V) = 75V design to provide excellent RDS(ON) with low gate ID = 80 A (VGS = 10V) charge. This device is suitable for use in PWM, load RDS(ON)

 ..2. Size:839K  cn vbsemi
 aot430.pdf pdf_icon

AOT430

AOT430 www.VBsemi.tw N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET a VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0065at VGS = 10 V 80 80 0.0070at VGS = 6.0 V 75 17.1 nC APPLICATIONS 0.0085at VGS = 4.5 V 65 Primary Side Switching TO-220AB Synchronous Rectification D DC/AC Inverters LED Backlighti

 ..3. Size:260K  inchange semiconductor
 aot430.pdf pdf_icon

AOT430

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT430 FEATURES Drain Current I =80A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =75V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 11.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Другие IGBT... AOT404, AOT410L, AOT412, AOT414, AOT416, AOT418L, AOT424, AOT42S60, RFP50N06, AOT440, AOT460, AOT462L, AOT466L, AOT470, AOT472, AOT474, AOT480L