AOT4N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT4N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AOT4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT4N60 даташит

 ..1. Size:252K  aosemi
 aot4n60.pdf pdf_icon

AOT4N60

AOT4N60/AOTF4N60 600V,4A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150 The AOT4N60 & AOTF4N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 4A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:651K  aosemi
 aot4n60 aotf4n60 aotf4n60l.pdf pdf_icon

AOT4N60

AOT4N60/AOTF4N60/AOTF4N60L 600V,4A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150 The AOT4N60 & AOTF4N60 & AOTF4N60L have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process ID (at VGS=10V) 4A that is designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:261K  inchange semiconductor
 aot4n60.pdf pdf_icon

AOT4N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT4N60 FEATURES Drain Current I = 4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =2.2 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose a

Другие IGBT... AOT460, AOT462L, AOT466L, AOT470, AOT472, AOT474, AOT480L, AOT482L, 8N60, AOT4S60, AOT500, AOT502, AOT5N100, AOT5N50, AOT5N60, AOT7N60, AOT7N65