AOT500. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT500

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 33 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 765 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AOT500

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT500 даташит

 ..1. Size:448K  aosemi
 aot500.pdf pdf_icon

AOT500

AOT500L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features AOT500 uses an optimally designed temperature compensated gate-drain zener clamp. Under overvoltage VDS (V) = Clamped conditions, the clamp activates and turns on the MOSFET, ID = 80A (VGS = 10V) safely dissipating the energy in the MOSFET. RDS(ON)

 9.1. Size:315K  aosemi
 aot502.pdf pdf_icon

AOT500

AOT502 Clamped N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Clamped AOT502 uses an optimally designed temperature 60A ID (at VGS=10V) compensated gate-drain zener clamp. Under overvoltage conditions, the clamp activates and turns on the MOSFET,

 9.2. Size:261K  inchange semiconductor
 aot502.pdf pdf_icon

AOT500

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT502 FEATURES Drain Current I = 60A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =33V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 11.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Другие IGBT... AOT466L, AOT470, AOT472, AOT474, AOT480L, AOT482L, AOT4N60, AOT4S60, 75N75, AOT502, AOT5N100, AOT5N50, AOT5N60, AOT7N60, AOT7N65, AOT7N70, AOT7S60