AOT500 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AOT500
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 33 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 69 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 765 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0053 Ohm
Тип корпуса: TO-220
AOT500 Datasheet (PDF)
aot500.pdf
AOT500LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesAOT500 uses an optimally designed temperaturecompensated gate-drain zener clamp. Under overvoltage VDS (V) = Clampedconditions, the clamp activates and turns on the MOSFET,ID = 80A (VGS = 10V)safely dissipating the energy in the MOSFET.RDS(ON)
aot502.pdf
AOT502Clamped N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSClampedAOT502 uses an optimally designed temperature 60A ID (at VGS=10V)compensated gate-drain zener clamp. Under overvoltage conditions, the clamp activates and turns on the MOSFET,
aot502.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOT502FEATURESDrain Current I = 60A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =33V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 11.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 13N50 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
